ZnO缓冲层的连续性，及其对GAN氢化物气相外延初始阶段的影响

（a）在在转换成ZnO层的容器之中取得的，概要（b）在在经过淬火并在HCl之中腐蚀的容器之中取得的。

该图证明，一些较粗上的Zn是在繁殖之前淬火期间牵涉到的较粗反应会完好无损下来的，而不是在ZnO沉积岩更更进一步之中过渡到的。

点火光谱（b）与从ZnAl2O4高温下混合锌和铅淬火过渡到的层的点火光谱（b）极其相似，证明过渡到了一层很粗的锌铅氧化物（ZnAl2O4）。

对该容器顺利完成XRD测不够敏感连续性，不能检测到如此粗的层。为了获知较粗上确实依赖于ZnAl2O3，我们顺利完成了逐层XRD测，并在空气之中对翡翠上的粗ZnO层顺利完成了30小时的淬火。

如图所示，出现了涵盖（006）翡翠峰顶以及ZnAl2O4的（111）和（333）透镜峰顶。锂是立方尖晶石骨架，（111）和（333）透镜峰顶的依赖于证明该反应会连续性诱发偶不具备一定层面的基本概念左至右。

这种不具备良好单纯的较粗层将有助于全面性GaN的繁殖，使其不具备所需的（111）贴图。

ZnO内置层在HVPE繁殖先之前会在淬火先决条件下牵涉到反应会连续性解离，留有凹凸不平的孔径。

XPS和XRD学术研究证明，在淬火后即使如此在翡翠较粗依赖于粗的完好无损含锌层，该层不是ZnO。而将ZnO层在繁殖之前顺利完成淬火解决问题，然后在HCl之中顺利完成腐蚀，可以转换成较粗上的ZnO层，并过渡到粗的ZnAl2O4层。

经过逐层XRD测证实了ZnAl2O4的依赖于，并表明出一定层面的基本概念左至右。这些处理过程和结果为全面性的GaN繁殖透过了理想的基本。

在ZnO内置层的起到下，翡翠较粗的构造牵涉到了改变。图3是通过原子力显微镜（AFM）观察的容器较粗面相的照片。容器a经过繁殖之前的淬火解决问题，较粗没有微小的面相修饰，与纤翡翠较粗类似（在此处并未表明的N2生存环境下顺利完成的淬火）。

而容器b的较粗特点是制程较粗不具备相对来说的小岛。这种由ZnO衍生的较粗外观上促进了随后GaN繁殖更更进一步之中的增强初始成核和优化材质质量。

在纤翡翠上顺利完成的GaN繁殖不一定会造成了较粗粗糙度较高，材质连续耐用性较好。经常不能减法取得不具备胚较粗、宽阔的XRD线宽和较低载流子pH的高质量GaN材质。

相较较，适用ZnO内置层不一定会造成了较粗更胚，却是没有面相外观上，并且不具备优化的材质连续耐用性。

对于繁殖在纤翡翠上的GaN材质，较粗接合处通量极其高，这不一定与繁殖初始收尾的成核有关。而在ZnO内置层上繁殖的GaN层不具备与自变量流繁殖模式相关的繁殖外观上。

对较粗为8微米的GaN层顺利完成的XRD测表明（002）摇摆曲率的FWHM在400至500楔秒彼此之间，而在纤翡翠上繁殖的类似较粗的GaN层不一定不具备700楔秒或更多的线宽。

ZnO内置层的适用优化了GaN的繁殖较粗面相。纤翡翠上的GaN繁殖不一定会造成了相对来说的较粗接合处，而在ZnO内置层上繁殖的GaN层不具备更胚的较粗和更好的材质连续耐用性。

与在纤翡翠上繁殖的20-40nmGaN层相较，繁殖在5nm粗的ZnO内置层上的GaN层的PL点火光谱不具备稍宽阔的点火上头（FWHM大约为7-8nm），而纤翡翠上的GaN层的点火上头宽为1-6nm。

在ZnO内置层上繁殖的GaN材质还观感出弱的UMD点火，这与先之前的学术研究之中的Zn能上头有关[420, 80]。这种以大约5nm为之中心的UMD点火增强了在较粗的80nm内置层上繁殖的GaN材质的PL点火光谱强度。

与纤翡翠上繁殖的较粗GaN层相较，繁殖在5nm粗的ZnO内置层上的GaN层不具备较宽阔的PL点火上头宽，并观感出弱的UMD点火。

ZnO内置层能够透过一个凹凸不平的较粗和晶格匹配的介质，为全面性的GaN繁殖透过了良好的基本。通过RFMOSFET风化起到沉积岩方法有，在翡翠较粗过渡到了ZnO内置层。

通过淬火解决问题，ZnO内置层在无氧生存环境之中牵涉到反应会连续性解离，留有凹凸不平的孔径。淬火后的ZnO较粗会过渡到一层粗的含锌完好无损层，而非ZnO。这种完好无损层对于全面性GaN繁殖更更进一步不具备举足轻重影响。

在ZnO内置层上繁殖的GaN材质不具备较胚的较粗和优化的材质连续耐用性。与纤翡翠上繁殖的GaN相较，繁殖在ZnO内置层上的GaN不具备较宽阔的光致发光（PL）点火上头宽和弱的UMD点火。这证明ZnO内置层对于提高GaN材质的激光连续性质不具备努力的影响。

ZnO内置层的较粗和淬火先决条件对GaN的繁殖和连续耐用性不具备举足轻重影响。较粗的ZnO内置层可以更进一步优化GaN的激光连续耐用性，但也会减小材质的繁殖整整。

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